|
|
|
 |
 |
| |
 |
Á¦ ¸ñ :
[HPSP] °í¾Ð¾î´Ò¸µ°øÁ¤ ¹× °í¾Ð»êȰøÁ¤¿¡ ´ëÇÑ R&D °È |
 |
ÀÛ¼ºÀÚ :
|
µî·ÏÀÏ : 2024-01-15 ¿ÀÀü 9:58:07 |
|
|
 |
 |
 |

HPSP´Â °í¾Ð¾î´Ò¸µ°øÁ¤(High Pressure Annealing) ¹× °í¾Ð»êȰøÁ¤(High pressure Oxidation)¿¡ °üÇÑ ¿¬±¸ °³¹ßÀ» °ÈÇÒ °èȹÀÌ´Ù. ÀÌ¿Í º°µµ·Î ±¹³»¿¡ ½Å±Ô R&D ¼¾ÅÍ °³°üÀ» ÅëÇØ HPSP´Â HPA ¹× HPO ±â¼úÀ» ±âÁ¸ °øÁ¤ À̿ܿ¡ Ÿ °øÁ¤À¸·Î È®ÀåÇÒ ¼ö ÀÖ´Â »õ·Î¿î °øÁ¤±â¼ú °³¹ßÀ» ÃßÁøÇÒ °èȹÀÌ´Ù. ¶ÇÇÑ ¼±´Ü°øÁ¤¿¡¼ Çʼö °øÁ¤À¸·Î äÅõǰí ÀÖ´Â °í¾Ð¼ö¼Ò¾î´Ò¸µ °øÁ¤À» ±â¹ÝÀ¸·Î ´Ù¸¥ °¡½º¸¦ Ȱ¿ëÇÑ HPA ¹× HPO¿¡ ´ëÇÑ ¿¬±¸µµ º»°ÝÀûÀ¸·Î ÁøÇàÇÒ ¿¹Á¤ÀÌ´Ù.
HPSP°¡ Àü ¼¼°è À¯ÀÏÇÏ°Ô °ø±ÞÇϰí ÀÖ´Â °í¾Ð¼ö¼Ò¾î´Ò¸µ Àåºñ´Â ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚÀÇ °è¸éÀÇ °áÇÔÀ» Á¦°ÅÇÏ¿© Æ®·£Áö½ºÅÍÀÇ ¼º´É ¹× ½Å·Ú¼ºÀ» Çâ»óÇÏ´Â ÀåºñÀÌ´Ù. ¹ÝµµÃ¼ ±â¼úÀÇ ¹ßÀü¿¡ µû¸¥ °íÁýÀûÈ, °íÀü·ÂÈ, °í¼ÓÈ¿¡ µû¶ó °ÔÀÌÆ®(Gate)¿¡¼ ³·Àº ´©¼³ Àü·ù°¡ ¿ä±¸µÇ¸ç ÀÌ·¯ÇÑ ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚÀÇ Æ¯¼º»ó °è¸éÀÇ ¾ÈÁ¤¼º È®º¸¿¡ ¸¹Àº ¿¬±¸°³¹ßÀÌ ÁøÇàµÇ°í ÀÖ¾î ¼ÒÀÚ °è¸éÀÇ ¹®Á¦Á¡ °³¼±À» À§ÇÑ ½ÃÀå ¼ö¿ä´Â °è¼ÓÇØ¼ È®ÀåµÇ°í ÀÖ´Ù. ¶ÇÇÑ ±âÁ¸ÀÇ °í¿Â¾î´Ò¸µÀåºñ´Â 10nm ÀÌÇÏÀÇ ¼±´Ü°øÁ¤¿¡¼ »ç¿ëÀÌ Á¦ÇѵǴ µ¥ ¹ÝÇÏ¿© HPSP °í¾Ð¼ö¼Ò¾î´Ò¸µÀåºñ´Â »ó´ëÀûÀ¸·Î ³·Àº °øÁ¤¿Âµµ¿¡¼ °í¾Ð°ú °í³óµµÀÇ ¼ö¼Ò¸¦ Ȱ¿ëÇÏ¿© ¾î´Ò¸µÀ» ÁøÇàÇϹǷΠÃÖ¼±´Ü°øÁ¤(2nm ÀÌÇÏ)±îÁö Àû¿ëÇÒ ¼ö ÀÖ´Ù.
|
|
 |
 |
| µ¡±Û¾²±â |
 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|